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J-GLOBAL ID：201702220424887380   整理番号：17A0886779

バルクピエゾ抵抗センサを用いたSOI-MEMS圧電ねじり段階【Powered by NICT】

An SOI-MEMS Piezoelectric Torsional Stage With Bulk Piezoresistive Sensors

著者 (2件)： Maroufi Mohammad (Department of Mechanical Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA) ,  Moheimani S. O. Reza (Department of Mechanical Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 10  ページ： 3030-3040  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡のために設計されたマイクロカンチレバーの面外位置決めのためのマイクロエレクトロメカニカルステージを提案した。ステージは,アクチュエータとしての圧電固定導波ビームを利用したねじり機構を用いた面外変位を生成する。ステージのねじり変位を測定するために,新しい差動圧抵抗センサが実装されている。これらのセンサは,シリコンのバルクピエゾ抵抗を利用する固定導波ビームを特徴とする。この検出概念を用いたたわみ上の高ドープ領域を作製する必要性を除去した。解析モデルをセンサの直線性を記述した。センサ,マイクロカンチレバー,及びステージの機械的特性を実験的に特性化した。ステージの一次共振周波数は7.8kHzに位置し,1.2μm以上の静的面外変位が得られた。添加では,ピエゾ抵抗センサは3nmの1σ分解能と13kHzの帯域幅内の段階の動力学を捕捉した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *圧電気 ,  解析モデル ,  *センサ ,  共振周波数 ,  ケイ素 ,  *ねじり ,  アクチュエータ ,  たわみ ,  原子間力顕微鏡 ,  機械的性質 ,  *MEMS
準シソーラス用語： 面外変形 ,  マイクロカンチレバー ,  *圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  ピエゾ抵抗センサ ,  SOI ,  MEMS ,  圧電 ,  ねじり ,  段階