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J-GLOBAL ID：201702220545439626   整理番号：17A0950442

ハイブリッドPN接合およびCMOSインバータ用の2次元MoTe₂とInGaZnO薄膜材料の結合

Coupling Two-Dimensional MoTe₂ and InGaZnO Thin-Film Materials for Hybrid PN Junction and CMOS Inverters

著者 (6件)： LEE Han Sol (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Kyunghee (Electronics and Telecommunications Res. Inst.(ETRI), Daejeon, KOR) ,  KIM Jin Sung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  YU Sanghyuck (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KO Kyeong Rok (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  IM Seongil (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 18  ページ： 15592-15598  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のフォトリソグラフィーでパターン化したアモルファス(α)n型薄膜InGaZnO(IGZO)上に直接インプリンティング法(ドライトランスファー)によりα-p型MoTe₂遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)ナノ剥片を結合することで二次元(2D)TMD-IGZOハイブリッドPN接合ダイオードを作製した。また原子層堆積法によりパターン化したIGZOチャンネルにゲート誘電体Al₂O₃薄層を堆積し,その上にα-MoTe₂ナノ剥片を結合する方法でCMOSインバータを作製した。2Dナノシート・酸化物薄膜ハイブリッドCMOSインバータは,5Vで約40の高い電圧利得,1Vで数nW未満の低消費電力,約200μsのスイッチング・ダイナミックスを示した。ハイブリッドPN接合ダイオードは1.57の良好な理想係数と約3×10⁴の非常に高いON/OFF整流比を示した。光照射下ではハイブリッドPNダイオードは青色と紫外の高エネルギー光子にのみに応答し幾分安定しているように思われる。

シソーラス用語： *PN接合 ,  *ダイオード ,  *論理回路 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  光照射 ,  ナノ構造 ,  フレーク ,  刷込 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  *テルル化物 ,  *モリブデン化合物 ,  利得 ,  消費電力 ,  インバータ ,  整流
準シソーラス用語： *CMOSインバータ ,  *IGZO【半導体】 ,  光応答 ,  ナノフレーク ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  *テルル化モリブデン ,  電圧利得 ,  低消費電力 ,  整流比

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (3件)： PN接合 ,  CMOSインバータ ,  2次元