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J-GLOBAL ID：201702220665070378   整理番号：17A0991552

5周期InGaMnAs/GaAs量子井戸構造の強磁性

Ferromagnetic Properties of Five-Period InGaMnAs/GaAs Quantum Well Structure

著者 (5件)： KWON Young H. (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sejoon (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Woochul (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Chang-Soo (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Im Taek (Dongguk Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 7  ページ： 3917-3921  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaMnAs及びInGaMnAsに基づく量子井戸の構造,磁気的,輸送,及びエレクトロルミネセント特性が,研究されている。しかし,GaMnAs/GaAs及びInGaMnAs/InGaAs量子井戸の特性化についての報告が少ない。本稿では,InGaMnAs/GaAs量子井戸の5層系におけるMnの影響を調査した。5層のInGaMnAs/GaAs量子井戸構造を,低温分子線エピタキシーにより,半絶縁(100)配向GaAs基板上に成長した。STEM,HRTEM,SIMS,XRD及びSQUIDを用いて,試料を特性化した。結果により,室温(300K)以上のキュリー温度を有するInGaMnAs/InGaAs量子井戸の強磁性が,GaMn及びMnAsクラスタのようなMnドーパント磁気クラスタの形成を示した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化ガリウム ,  量子井戸 ,  *多重量子井戸 ,  *強磁性 ,  *マンガン ,  ドーパント ,  マンガン化合物 ,  ガリウム化合物 ,  Curie温度 ,  磁性体 ,  MBE成長
準シソーラス用語： GaAs ,  Ga化合物 ,  *InGaAs ,  *Mn ,  磁気クラスタ ,  分子線エピタクシー

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 周期 ,  GaAs ,  量子井戸 ,  強磁性