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J-GLOBAL ID：201702220668646796   整理番号：17A1430107

In_xGa_1N/GaNヘテロ構造の構築における分極と熱伝導率【Powered by NICT】

Built-in-polarization and thermal conductivity of In_xGa_1- N/GaN heterostructures

著者 (2件)： Gedam V. (Department of Physics, National Institute of Technology, Raipur 492010, Chhattisgarh, India) ,  Sahoo B.K. (Department of Physics, National Institute of Technology, Raipur 492010, Chhattisgarh, India)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 93  ページ： 63-69  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xGa_1xN/GaNヘテロ構造の熱的性質に及ぼすに建設されたにおける分極(BIP)場の影響を調べた。In_xGa_1xN合金の熱伝導率kはIn含有量xが0,0.1,0.3,0.5と0.9のBIP場を含むCallawayの式を用いて推定した。本研究はIn含有量に関係なく,In_xGa_1xN/GaNヘテロ構造の室温KはBIP場により増強されることを報告した。結果は熱伝導率(BIP場を含む場合と排除した場合)の両方がクロスオーバを示す特性温度Tの存在を予測した。これは熱伝導率測定は焦電性質を明らかにすることができることを示している温度による分極の変化によって生じるIn_xGa_1xN合金の焦電性質の特徴を示した。In_xGa_1xN合金の焦電転移温度は種々のxに対して予測された。室温kx=0.1および0.5の組成依存性は,以前の実験研究と一致している。結果はIn_xGa_1xN/GaNヘテロ構造における自己加熱効果を最小にするために用いることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱特性 ,  *分極 ,  合金 ,  転移温度 ,  *熱伝導率 ,  *インジウム
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  実験研究 ,  組成依存性 ,  熱伝導率測定 ,  クロスオーバー ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： In_xGa_1xN/GaNヘテロ構造 ,  の分極 ,  フォノン ,  熱伝導率 ,  焦電性

分類 (1件)： その他の熱的変量の計測法・機器  (AD06040R)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  構築 ,  分極 ,  熱伝導率