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J-GLOBAL ID：201702220931256780   整理番号：17A0465674

光起電力応用のための異なる基板温度での化学噴霧熱分解により製造されたSnS薄膜

SnS Thin Films Prepared by Chemical Spray Pyrolysis at Different Substrate Temperatures for Photovoltaic Applications

著者 (4件)： SALL Thierno (Universitat Politecnica de Valencia, Valencia, ESP) ,  SOUCASE Bernabe Mari (Universitat Politecnica de Valencia, Valencia, ESP) ,  MOLLAR Miguel (Universitat Politecnica de Valencia, Valencia, ESP) ,  SANS Juan Angel (Universitat Politecnica de Valencia, Valencia, ESP)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 3  ページ： 1714-1719  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より安価でより効率的な太陽電池を製造するための新しい光起電材料を得るために,IV-VI族半導体グループに属するスズモノサルフィドが,光起電力用途に適した光電子特性のために非常に注目されている。本研究では,1:1の比[S]/[Sn]を用いて異なる温度で単純なガラス基板上にCSP技術によるSnS薄膜を作製した。スズモノサルフィド(SnS)薄膜が,スズ(II)とイオウの前駆体としてそれぞれSnCl₂・H₂OとCS(NH₂)₂を用いたCSP技術によって堆積された。全ての膜は多結晶であり,(111)を主ピークとしてSnS斜方晶相で結晶化した。SnS₂ラマンモードは観測されなかったが,Sn₂S₃モードが検出され,XRD結果が確認された。さらに,2つのSnSモードがすべてのサンプルで観察された。SnSフィルムは,250°C~350°Cで粒状形態を示したが,400°Cと450°Cでは,フィルムがより高密度になり,よりコンパクトになった。エネルギー分散型X線分光法の結果によれば,化学量論比が改善された膜はより高い基板温度で達成でき,AFM顕微鏡写真は,より大きな粗さおよび比較的大きな粒子サイズを有するフィルムを示した。光エネルギーバンドギャップおよび電気抵抗率は,基板温度の上昇とともに減少し,450°Cで最小の1.46eVおよび60Ωcmとなった。

シソーラス用語： *光起電力 ,  *化学蒸着 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *太陽電池 ,  斜方晶系 ,  バンドギャップ ,  電気抵抗
準シソーラス用語： スプレーCVD ,  硫化スズ ,  化合物系太陽電池 ,  エネルギーバンドギャップ

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光起電力 ,  応用 ,  基板温度 ,  化学 ,  噴霧熱分解 ,  SNS ,  薄膜