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J-GLOBAL ID：201702221050256643   整理番号：17A1026006

SiC MOSFETにおけるオンライン劣化検出のための方法【Powered by NICT】

A method for online ageing detection in SiC MOSFETs

著者 (2件)： Erturk Feyzullah (Department of Electrical Engineering, The University of Texas at Dallas, TX, USA) ,  Akin Bilal (Department of Electrical Engineering, The University of Texas at Dallas, TX, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APEC 2017  ページ： 3576-3581  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFETの劣化モニタリングに関する包括的研究を提示し,電力変換器とスマートゲートドライバの早期警報のための初期故障を検出する方法を提案した。加速劣化試験(パワーサイクル)中のいくつかの電気的パラメータは,初期故障検出のための重要な特徴と前駆体を分析するために測定した。それらの中で,ゲート漏れ電流は加齢を通じて一貫した変化を示す最も実用的な前駆体の一つとして同定し,監視するための比較的容易である。提案した方法は,MOSFETの状態を監視するためにゲートドライバーに統合できる正当化した。この方法は,予期せぬ失敗に起因する割り込みを許容できない応用に適合する。簡単な方法と低コストのために,改善された信頼性オプションを特徴とする市販ゲートドライバに埋め込まれたできる可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  電力変換器 ,  *MOSFET ,  信頼性 ,  警報 ,  前駆体 ,  初期故障
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  パワーサイクル ,  *劣化検出 ,  *オンライン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  オンライン ,  劣化検出