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J-GLOBAL ID：201702221335372997   整理番号：17A1645755

電力MOSFETにおけるシングルイベントアップセットのシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of single-event upset in power MOSFETs

著者 (2件)： Maiti C. K. (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Siksha `O’ Anusandhan University, Bhubaneswar, Odisha, India - 751030) ,  Dash T. P. (Dept. of Electronics and Communication Engineering, Siksha `O’ Anusandhan University, Bhubaneswar, Odisha, India-751030)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 25-29  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧パワーMOSFETのイオンの衝撃の影響をこの研究で調べた。シングルイベントゲート破壊(SEGR)事象の研究に重点をおいた。物理ベースデバイスシミュレーションツールSilvaco ATHENAとATLASプロセスおよびデバイスシミュレーションに使用され,宇宙応用に適したパワーMOSFETの電気特性を評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 宇宙空間 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  イオン ,  電気特性 ,  衝撃
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  ATLAS ,  低電圧 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電力MOSFET ,  シングルイベントアップセット ,  シミュレーション