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J-GLOBAL ID：201702221597376640   整理番号：17A1020086

3次元ドット構造を用いた自己集合Geへのセリウムイオンドーピング【Powered by NICT】

Cerium ion doping into self-assembled Ge using three-dimensional dot structure

著者 (5件)： Miyata Yusuke (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Ueno Kazuya (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Yoshimura Takashi (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Ashida Atsushi (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Fujimura Norifumi (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 696-700  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類元素,Ce,ドープしたGe(Ge:Ce)三次元結晶は固体源低温分子ビームエピタクシーによりSi(001)上に作製した。Ceは自己集合Geドットの形成,表面,界面およびバルク応力に含まれる全エネルギーを抑制する自己制限過程のためにその構造,初期成長と密度を含むに影響する。Si基板からの圧縮歪のために,Ge:Ceドットの面外格子定数はバルクGeのそれよりも大きく,一方,面内格子定数は小さかった。格子定数変化とCe濃度の関数として発見されたRamanピークの半値全幅に基づいて,Geの置換型サイト内でのCeの固溶度限界は0.7at%と高かった。Ramanシフトの大きさはCe濃度に依存しないが,これはGeの成長または導入を示唆しているSi(001)上のCeドットはストレスにより制限されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固溶度 ,  界面 ,  *三次元 ,  *セリウム ,  全エネルギー ,  *自己集合 ,  格子定数 ,  低温 ,  *ゲルマニウム ,  FWHM ,  MBE成長
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Keywards A1ドーピング ,  A2分子ビームエピタクシー ,  B2半導性ゲルマニウム ,  B1ナノ材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3次元 ,  ドット ,  自己集合 ,  Ge