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J-GLOBAL ID：201702221673875395   整理番号：17A1350451

の温度勾配による高温パッケージング応用のための低温Ni/Sn/Ni液相拡散接合【Powered by NICT】

Low Temperature Ni/Sn/Ni Transient Liquid Phase Bonding for High Temperature Packaging Applications by Imposing Temperature Gradient

著者 (6件)： Zhong Y. ,  Zhao N. ,  Ma H. T. ,  Dong W. ,  Huang M. L. ,  Wong C. P.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 411-416  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すべてのエレクトロニクスにおける鉛フリーはんだに向けて命じる産業規制により,耐える厳しい熱条件の可能な相互接続材料の開発は,次世代ワイドバンドギャップ半導体の開発のための重要な技術的要素の一つとなっている。温度勾配下でのNi/Sn/Ni相互接続をリフローすることにより,新しい過渡的液相(TLP)接合プロセスを,本研究で高温包装用途のために提案した。支配的なNi3Sn4金属間化合物(IMCs)の発達は,温度勾配に強く依存した。そのような依存性の本質的な原因は,新しいと従来のTLPボンディングプロセスの間の界面反応に導入されたNi原子フラックスの異なる量に起因した。温度勾配の影響下で,熱い端部から冷たい端部へNi原子の質量熱マイグレーションは,界面反応のための全Ni原子フラックスを促進する。その結果,IMCの成長は有意に加速された。新しいTLP接合プロセスは,限られた低温端Ni基板を消費する。新しいTLP接合過程の機構を考察し,本研究で実験的に検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子技術 ,  *液相 ,  *ニッケル ,  *温度勾配 ,  *低温 ,  相互接続 ,  金属間化合物 ,  *高温
準シソーラス用語： 界面反応 ,  ワイドギャップ半導体 ,  無鉛はんだ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  ろう付  (WC07050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 温度勾配 ,  パッケージング ,  応用 ,  低温 ,  Ni ,  Sn ,  液相拡散接合