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J-GLOBAL ID:201702221687123395   整理番号:17A0908974

異なる電解質水溶液を用いた光電気化学的水分解のためのn型GaN光アノード上のNiO負荷の影響【Powered by NICT】

Effects of NiO-loading on n-type GaN photoanode for photoelectrochemical water splitting using different aqueous electrolytes
著者 (9件):
資料名:
巻: 42  号: 15  ページ: 9493-9499  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0192B  ISSN: 0360-3199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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水の分解に用いるn型GaN光アノードは安定性問題がある。これを解決する1つの方法は,n型GaN表面に及ぼす載荷NiO触媒であった。水溶液電解質H_2SO_4,HCl,KOH,NaOHは,通常,光電気化学的水分解のために用いた。しかし,n型GaN光電極上のNiO負荷に適した電解質はまだ評価されていない。それ故,本研究では,NiO負荷で使用される電解質変化の影響を検討した。n型GaN上のNiO負荷の光電流は増加したKOHとNaOH電解質を使用した。添加では,これらの電解質を用いた場合,表面は反応後の腐食を示さなかった。しかし,光電流はKOH電解質を用いた安定でなかった。興味深いことに,安定した光電流は,NaOH電解質を使用した時に観察された。H_2SO_4の場合,GaNの光電流は,NiOに係わらず変動しなかった。表面形態はH_2SO_4電解質中に溶解したGaN腐食,およびNiOのため粗くなった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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気体燃料の製造  ,  電気化学反応 
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