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J-GLOBAL ID：201702221872631557   整理番号：17A1488466

低温を含む広い温度範囲を持つ改良された金属酸化物半導体電界効果トランジスタモデル【Powered by NICT】

Improved Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor models with wide temperature range including cryogenic temperature

著者 (4件)： Liu Siyang (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210094, China) ,  Li Xiujun (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210094, China) ,  Liu Chao (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210094, China) ,  Sun Weifeng (National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210094, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 31-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温温度を含む広い温度範囲で解析的金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モデルを本論文で提示した。Berkeley短チャネルIGFETモデル(BSIM)コアに基づいて,移動度モデル,しきい値電圧モデル,速度飽和モデルと寄生抵抗モデルを更新し,添加した広い温度範囲でMOSFETの特性を正確に記述した。提示したモデルは規則的で低温で異なるMOSFETとキャパシタ充放電回路により検証した。測定とシミュレーション結果は,提案したモデルのかなりの精度と一般的な適用性を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金属酸化物 ,  MOSFET ,  *半導体 ,  シミュレーション ,  *低温 ,  *FET【トランジスタ】 ,  適応性 ,  コンデンサ ,  *モデル ,  移動度
準シソーラス用語： 寄生抵抗 ,  閾値電圧 ,  短チャネル ,  *酸化物半導体 ,  *温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： モデル ,  広い温度範囲 ,  極低温温度 ,  フリーズアウト効果

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  温度範囲 ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  モデル