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J-GLOBAL ID：201702221890610492   整理番号：17A1919911

高性能EバンドSPDTスイッチの設計と0.13μm SiGe BiCMOS技術における低雑音増幅器(LNA)【Powered by NICT】

Design of high-performance E-band SPDT switch and LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology

著者 (5件)： Ahamed Raju (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland) ,  Varonen Mikko (VTT Technical Research Centre of Finland Ltd, Espoo, Finland) ,  Parveg Dristy (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland) ,  Saijets Jan (VTT Technical Research Centre of Finland Ltd, Espoo, Finland) ,  Halonen Kari A. I. (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NORCAS  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.13μm SiGe BiCMOS技術における送受信機フロントエンドの一部としての高性能Eバンド単極二重による(SPDT)スイッチと低雑音増幅器(LNA)の設計を提示した。四分の一波長短絡SPDTスイッチは逆飽和SiGeH BTを用いて設計した。得られたスイッチは75GHzで18dB以上2.1dBの挿入損, 26dBの単離,反射係数を示し,35GHz以上の帯域幅を提供する。設計されたスイッチは単独で差動出力(SIDO)低雑音増幅器(LNA)と統合し,LNAの入力整合素子として利用されている。LNAは第二段階で第1段階とcasocode増幅器における共通エミッタ増幅器を利用した共通エミッタとカスコード両トポロジーの利点を利用した。集積スイッチをもつ得られたLNAは12GHzの3dB帯域幅で75GHzで26dBと6.9dBの利得と雑音指数(NF)を達成した。+5.5dBmの出力参照1dB圧縮点は75GHzで達成した。設計統合ブロックは45.5mWのDC電力を消費し,RFパッドを除く720×580μmの面積を占めている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反射率 ,  *増幅器 ,  位相幾何学 ,  利得 ,  挿入損 ,  *低雑音増幅器 ,  *スイッチ ,  帯域幅 ,  雑音指数 ,  パッド
準シソーラス用語： カスコード ,  *SPDT ,  *SiGe BiCMOS ,  *SPDTスイッチ ,  *Eバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  Eバンド ,  SPDTスイッチ ,  設計 ,  SiGe ,  BiCMOS ,  低雑音増幅器 ,  LNA