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J-GLOBAL ID：201702222292810602   整理番号：17A1550665

室温非真空プロセスによるp型SiとGaNの接触高仕事関数MoO_2とReO_2【Powered by NICT】

High work function MoO₂ and ReO₂ contacts for p-type Si and GaN by a room-temperature non-vacuum process

著者 (4件)： Lee Won-Jae (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, South Korea) ,  Parmar Narendra S. (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, South Korea) ,  Choi Ji-Won (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, South Korea) ,  Choi Ji-Won (Department of Nanomaterials Science and Engineering, Korea University of Science and Technology (UST), Daejeon 34113, South Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 374-377  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高仕事関数モリブデン(Mo)及びレニウム(Re)ジオキシドは,p型SiとGaN半導体上の接触特性を調べるために,真空および熱プロセスも無しに調べた。ポリビニルアルコール(5wt% PVA)は金属酸化物粉末の結合剤として使用した。ReO_2は低い電気抵抗率<0.023±0.004ΩcmとMoO_2に比べてより良い接触特性を示した。Ohm接触をReO_2とMoO_2を用いてp型Si(ρ=9.77Ωcm)上に容易に形成された。n型Si(ρ=2.44Ωcm)に形成された接触により作製した金属酸化物/半導体Schottkyダイオードは,金属酸化物の異なる接触障壁特性を示すダイオードパラメータを比較して調べた。広いエネルギーバンドギャップ半導体として,p型GaNは高い仕事関数半導体上の金属酸化物接触特性を調べるために利用した。p型GaN上のOhm接触は,沸騰王水による表面処理後ReO_2を用いて得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  Ohm接触 ,  金属酸化物 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  表面処理 ,  粉体 ,  バンドギャップ ,  *仕事関数 ,  電気抵抗率 ,  沸騰
準シソーラス用語： 王水 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ReO_2 ,  MoO_2 ,  GaN ,  高仕事関数 ,  Ohm接触 ,  非真空プロセス

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  真空 ,  プロセス ,  P型Si ,  GaN ,  仕事関数