文献

J-GLOBAL ID：201702222324156517   整理番号：17A1727277

GBレベル三次元が良い1S1R水平積層RRAMと垂直RRAMアレイを設計するための効率的なモデル【Powered by NICT】

Efficient models for designing GB-level 3-D 1S1R horizontal-stacked-RRAM and vertical-RRAM arrays

著者 (2件)： Song Lin (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China, 100084) ,  Zhang Jinyu (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China, 100084)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 137-140  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： が良い1S1R三次元HRRAMとVRRAMアレイを単純化するための効率的なモデルを提案した。相互接続抵抗,セレクタ非線形性と異なるバイアス方式を考察した。1024の還元比が,モデルはMbサイズアレイのための正確で大きいサイズの高精度を維持する傾向を示した。モデルを用いて,128Mbまで最大4GbとVRRAM HRRAMは,最悪ケースシナリオの下で比較した。より大きなアレイサイズを達成するために,HRRAMは層を付加する最適であるVRRAMの,層あたりのアレイサイズを拡大する高い書き込みアクセス電圧を維持または高いセンシングマージンを維持するために層付加に最適である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデル ,  非線形性 ,  簡素化 ,  相互接続 ,  電圧 ,  バイアス ,  *三次元 ,  選別器
準シソーラス用語： 情報へのアクセス ,  高精度 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 構造力学一般  (HD01000X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： RRAM ,  垂直 ,  アレイ ,  設計 ,  モデル