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J-GLOBAL ID：201702222341073146   整理番号：17A1619715

オンチップで切り替え可能なゲートバイアス回路を備えた4-20GHz 低雑音増幅器MMIC

4-20 GHz low noise amplifier MMIC with on-chip switchable gate biasing circuit

著者 (5件)： Chen Wei (School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang University) ,  Wang Zhiyu (School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang University) ,  Chen Hua (School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang University) ,  Huang Zhengliang (School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang University) ,  Mo Jiongjiong (School of Aeronautics and Astronautics, Zhejiang University)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 18  ページ： 20170711(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新開発のオンチップ型切り替え可能なゲートバイアス回路を備えた,広帯域低雑音増幅器(LNA)MMICを提案する。このバイアス回路は低雑音増幅器をスイッチON/OFFすることが可能であり,閾値電圧(Vth)の変動や温度の変化を補償することができる。したがって広い周波数の範囲で増幅器の堅牢性を改善する。スイッチ周波数は最大1MHzであり,自己消費電流と増幅器の電力ゲインの変動は,閾値電圧が-0.15Vから0.15Vまでの変動に対して,それぞれ27.9%と20.8%であった。温度変化が-55°Cから125°Cの変化に対する電力ゲインの変動は,バイアスネットワークにより21.25dBの範囲内に安定化された。0.15μm Eモード pHEMT技術にて実現された,サイズ2.0mm × 1.3 mm のLNAは代表的なゲイン値が24dBであり,入力と出力のリターンロスが10dBより良好であり,LNAの雑音指数(NF)は4GHzから20GHzの範囲で1.6dBより小さい値である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  低雑音増幅器 ,  バイアス ,  *広帯域増幅器 ,  HEMT ,  温度補償 ,  電圧補償 ,  設計
準シソーラス用語： *MMICパワーアンプ ,  PHEMT ,  ゲートバイアス ,  デバイス設計 ,  広帯域アンプ

著者キーワード (4件)： LNA MMIC ,  gate biasing circuit ,  V_th compensation ,  temperature compensation

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (15件)：

• [1] S. C. Ekpo and D. George: “Impact of noise figure on a satellite link performance,” IEEE Commun. Lett. 15 (2011) 977 (DOI: 10.1109/LCOMM.2011.072011.111073).
• [2] F. E. van Vliet and A. de Boer: “Fully-integrated core chip for X-band phased array T/R modules,” Microwave Theory and Techniques Symposium 3 (2004) 1753 (DOI: 10.1109/MWSYM.2004.1338936).
• [3] S. Kousaiet al.: “A low-noise and highly-linear transmitter with envelope injection pre-power amplifier for multi-mode radio,” IEICE Trans. Fundamentals E94-A (2011) 592 (DOI: 10.1587/transfun.E94.A.592).
• [4] C. G. Yuan, et al.: “Low noise, low switch loss 0.25 μm E/D pHEMT technology,” Asia-Pacific Microwave Conference (2011) 239.
• [5] C. H. Chenet al.: “Novel GaAs enhancement-mode/depletion-mode pHEMTs technology using high-k praseodymium oxide interlayer,” Microelectron. Reliab. 52 (2012) 147 (DOI: 10.1016/j.microrel.2011.08.019).

タイトルに関連する用語 (6件)： オンチップ ,  切り替え ,  ゲート ,  バイアス回路 ,  低雑音増幅器 ,  MMIC