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J-GLOBAL ID：201202204300550047   整理番号：12A0025874

高k酸化プラセオジム中間層を用いた新しいGaAsエンハンスメントモード/デプレッションモードpHEMT技術

Novel GaAs enhancement-mode/depletion-mode pHEMTs technology using high-k praseodymium oxide interlayer

著者 (5件)： CHEN Chao-hung (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  CHIU Hsien-chin (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  YANG Chih-wei (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  FU Jeffrey S. (Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  CHIEN Feng-tso (Dep. of Electronics Engineering, Feng Chia Univ., Taichung, Taiwan, TWN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 1  ページ： 147-150  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,単一GaAs基板上に新しい金属-半導体ゲートエンハンスメントモード(Eモード)および金属-絶縁体-金属-半導体(MIMS)ゲートデプレッションモード(Dモード)のAlGaAs/InGaAsシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(pHEMT)を高誘電率プラセオジム絶縁体層を用いて開発した。ゲートリセスプロセスの後でエンハンスメントモードPHEMTに対してエピタキシャル層を設計した。単一GaAsウエハ上にE/DモードpHEMTを実現するため,EモードpHEMT用のSchottkyコンタクトとして伝統的なPt/Ti/Au金属を蒸着し,DモードpHEMT用のMIMSゲートとしてPr/Pr₂o₃/Ti/Auを蒸着した。このAlGaAs/InGaAs EモードpHEMTのゲートターンオン電圧(V_ON)は+1Vであり,ゲート-ドレイン破壊電圧は-5.6Vであり,これらの値はMIMSゲートDモードpHEMTに対してそれぞれ+7Vおよび-34Vであった。それ故,DモードpHEMTにおけるこの高k絶縁体はゲート漏れ電流の抑圧に有効である。以前のE/DモードpHEMT技術と比較して,EモードpHEMTおよびMIMSゲートDモードpHEMTはその単一リセスプロセスにより高均一度GaAs論理回路応用にかなり有望である。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  モード ,  *HEMT ,  *酸化プラセオジム ,  *ゲート【半導体】 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  誘電率 ,  *絶縁膜 ,  エピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  Schottky障壁 ,  白金 ,  チタン ,  金 ,  ドレイン【半導体】 ,  絶縁破壊 ,  漏れ電流 ,  素子構造 ,  エネルギー分散蛍光X線分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電流電圧特性 ,  1/f雑音 ,  長さ
準シソーラス用語： エンハンスメントモード ,  デプレッションモード ,  PHEMT ,  リセス構造 ,  ゲート長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化プラセオジム ,  中間層 ,  GaAs ,  エンハンスメントモード ,  PHEMT