Sn<sub>2</sub>S<sub>3</sub>薄膜の物理的性質に及ぼすCoドーピングの影響

SAROJA A. Mary; PUNITHAVATHY I. Kartharinal; JEYAKUMAR S. Johnson; BALU A. R.; GNANAMUTHU S. Joshua

文献

J-GLOBAL ID：201702222363870092 整理番号：17A1047017

Sn₂S₃薄膜の物理的性質に及ぼすCoドーピングの影響

Effect of Co doping on the physical properties of Sn₂S₃ thin film

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巻： 28 号： 15 ページ： 11464-11472 発行年： 2017年08月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1,2及び3重量%のドーパント濃度を持つコバルトドープSn₂S₃薄膜を噴霧熱分解法によってガラス基板上に被覆し,膜の構造,光学,電気及び磁気特性を調査した。ドーパント濃度が2重量%のナノニードル構造を持つCoドープSn₂S₃膜膜は,均一に被覆されていた。ドープした膜は透明で,吸収係数は可視領域で10⁴cm^-1であった。X線回折(XRD)分析から,単相Sn₂S₃斜方晶結晶の堆積を確認する。膜のバンドギャップは,ドーパントの添加と共に1.80から1.62eVに減少し,このことは,Co添加によってバンドギャップを調整できる可能性を示唆する。2重量%のCoドープ膜の電気伝導率は,1.35(Ωcm)^-1で最大であることが分った。2重量%のCoドープSn₂S₃において得られた光学及び電気データから,光起電力電池の吸収層への適用を確認する。磁気研究から,CoドープSn₂S₃薄膜の室温強磁性の存在が明らかになり,このことは,Co添加によって磁気特性が変化する可能性を示唆する。

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半導体薄膜

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Sn2S3薄膜の物理的性質に及ぼすCoドーピングの影響

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