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J-GLOBAL ID：201702222371817081   整理番号：17A0635593

均一な空隙率,全多孔質シリコン微細構造および応力/応力勾配制御の作製

Fabrication of uniform porosity, all-porous-silicon microstructures and stress/stress gradient control

著者 (3件)： SUN Xiao (Univ. Western Australia, WA, AUS) ,  PARISH Giacinta (Univ. Western Australia, WA, AUS) ,  KEATING Adrian (Univ. Western Australia, WA, AUS)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 4  ページ： 044001,1-9  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HF/エタノール溶液中において,結晶シリコン(Si)の部分的電気化学的溶解によって形成された多孔質シリコン(PS)は,センサーおよびデバイスにとって重要な特性である大きな表面積(最大で100m²cm^-3),フォトルミネッセンス,並びに膜密度,ヤング率および屈折率を決定する容易に調整可能な気孔率を有する,ユニークな材料である。本研究では,一連の標準プロセスによる膜の詳細な特性評価が行われ,PS膜の残留応力と応力勾配の両方を制御できる陽極酸化プロセスが開発された。内部応力を低減するための改質陽極酸化条件の導入を含む,全多孔質シリコン微細構造を製造するための包括的なPS-MEMSプロセスが確立された。製造されたPSマイクロビームは,平らに放出された表面トポロジおよび滑らかな電解研磨された表面を示した。アニール,HF浸漬および再アニールプロセスによるPS膜の応力発生を調べ,PSの内部応力を調整する方法を提供した。垂直応力勾配は,PSの陽極酸化のその場調整によって効果的に制御され,フラットに放出された全メソ多孔質シリコン微細構造が達成されることを,初めて可能にした。

シソーラス用語： 空隙率 ,  *多孔質シリコン ,  *微細構造 ,  *応力 ,  電気化学反応 ,  *表面積 ,  光ルミネセンス ,  Young率 ,  屈折率 ,  *アノード酸化 ,  MEMS
準シソーラス用語： フォトルミネセンス ,  陽極酸化

分類 (2件)： 化成処理  (WC08050J) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空隙率 ,  多孔質シリコン ,  微細構造 ,  応力 ,  応力勾配 ,  作製