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J-GLOBAL ID：201702222409906206   整理番号：17A0900435

PECVD成長シリコンナノワイヤの特性に及ぼすインジウム触媒厚みの影響に関する研究

Study of indium catalyst thickness effect on PECVD-grown silicon nanowires properties

著者 (5件)： YAACOUBI TABASSI M. (Centre for Res. and Technol. Energy, Hammam-Lif, TUN) ,  BENABDERRAHMANE ZAGHOUANI R. (Centre for Res. and Technol. Energy, Hammam-Lif, TUN) ,  KHELIL M. (Univ. Gabes, Gabes, TUN) ,  KHIROUNI K. (Univ. Gabes, Gabes, TUN) ,  DIMASSI W. (Centre for Res. and Technol. Energy, Hammam-Lif, TUN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 13  ページ： 9717-9723  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,金属触媒を介して蒸気-液体-固体(VLS)プロセスによって低温で成長したシリコンナノワイヤ(SiNW)の詳細について焦点を当てる。SiNW特性に及ぼすインジウム厚みの影響を報告する。走査電子顕微鏡(SEM)画像から,成長したままのSiNWは,無作為方位を示し,インジウム粒子に覆われていることが分った。このことによって,VLS成長を確認する。In触媒によって成長したSiNWの密度とモフォロジーは,インジウム層厚みに依存する。X線回折(XRD)から,得られたSiNWが(220),(311)及び(111)面に沿って成長した高い結晶化度を持つことが分る。SiNWが低密度に観察されるのは,酸化インジウムIn₂O₃の存在に起因する。In₂O₃は,成長に触媒作用を及ぼす純粋なインジウム液滴の形成に影響を及ぼす。40nmのインジウムによって触媒作用を及ばされた試料のRamanスペクトルは,アモルファスと結晶シリコンから構成される。インジウム厚みを80nmに増加させるとアモルファス成分が消滅し,510cm^-1に位置するピークが現れる。このことは,インジウム触媒によって,プロセス中にアモルファス層から結晶化することを示唆する。

シソーラス用語： *金属触媒 ,  インジウム化合物 ,  厚み ,  *ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  *プラズマCVD ,  VLS成長 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  密度 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  結晶度
準シソーラス用語： PECVD ,  インジウム触媒 ,  シリコンナノワイヤ ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： PECVD ,  成長 ,  シリコンナノワイヤ ,  インジウム触媒 ,  厚み ,  研究