文献

J-GLOBAL ID：201702222492171040   整理番号：17A1488527

量子閉じ込め効果を考慮した極薄二重ゲートオールアラウンド(DGAA)MOSFETのサブしきい値特性の解析的モデリング【Powered by NICT】

Analytical modeling of subthreshold characteristics of ultra-thin double gate-all-around (DGAA) MOSFETs incorporating quantum confinement effects

著者 (3件)： Kumar Arun (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, 801103, India) ,  Bhushan Shiv (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, 801103, India) ,  Tiwari Pramod Kumar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, 801103, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 567-578  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,サブスレッショルド電流およびサブスレッショルドスイング量子閉込め効果を含む短チャネル極薄二重ゲートオールアラウンド(DGAA)MOSFETの解析モデルが提案されている。サブしきい値電流モデルは,Pao-Sahの二重積分公式電流のドリフトと拡散成分を考慮したを用いて提示した。二次元キャリア閉じ込めに起因する量子効果をモデルに組み込んだ超薄チャネル領域における有効キャリア密度減少を考察した。状態密度(DOS)法を用いて電荷密度計算の詳細な解析も行った。さらに,仮想陰極ポテンシャルは素子のサブしきい値スイングをモデル化するために利用されている。サブ閾値特性に及ぼすチャネル厚さ,酸化膜厚,ゲート長さなどのデバイス設計パラメータの影響は広く研究されている。モデルの結果は,Cogenda Intの3Dデバイスシミュレータ視覚TCADから得られた数値シミュレーションデータと比較することにより検証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  二次元 ,  解析モデル ,  *量子閉込め ,  量子効果 ,  *モデリング ,  *MOSFET ,  シミュレーション ,  膜厚 ,  チャネル ,  電流
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  TCAD ,  サブ閾値スイング ,  *サブ閾値 ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DGAA MOSFET ,  サブしきい値電流 ,  量子閉じ込め効果 ,  SCE ,  サブ閾値スイング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 量子 ,  閉じ込め効果 ,  極 ,  ゲートオールアラウンド ,  MOSFET ,  サブしきい値 ,  解析 ,  モデリング