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J-GLOBAL ID：201702222510257663   整理番号：17A1731996

MEMS横方向振動共振器のための20%スカンジウムをドープした窒化アルミニウム膜の研究【Powered by NICT】

Investigation of 20% Scandium-doped Aluminum Nitride films for MEMS laterally vibrating resonators

著者 (6件)： Colombo Luca (ECE, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  Kochhar Abhay (ECE, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  Xu Changting (ECE, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  Piazza Gianluca (ECE, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  Mishin Sergey (Advanced Modular Systems, Inc., Goleta, California, USA) ,  Oshmyansky Yury (Advanced Modular Systems, Inc., Goleta, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IUS  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電MEMS共振器に基づくRFフィルタリング技術はそれらのサイズと優れた性能のおかげで過去10年間の開発・商品化に成功した。低い挿入損失と広い帯域幅のフィルタの性能を向上させるための挑戦は,まだ活発な研究トピックに,特にドープAlN[1]とニオブ酸リチウムの薄膜[2]のような材料の新しいクラスのための関心に拍車をかけた。本研究では,横方向に振動するMEMS共振器(LVRs)の作成のための20%スカンジウムドープ窒化アルミニウム(ScAlN)薄膜の利用を検討した。本研究の主目的は,実証することである1)非ドープAlNと比較してより高いk_t~2(~ 2x),2)ニオブ酸リチウム薄膜[3]と比較して,製造プロセスの容易さ,3)同一ウエハ上に多重周波数デバイス(250 MHz-1 GHz)の製作。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィルタ ,  ニオブ酸リチウム ,  *横振動 ,  *共振器 ,  *MEMS ,  圧電気 ,  帯域幅 ,  フィルタリング ,  *ドーピング ,  挿入損 ,  *窒化アルミニウム ,  生産工程 ,  薄膜
準シソーラス用語： 多重周波数 ,  MEMS共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  フィルタ一般  (NC04021I)

タイトルに関連する用語 (8件)： MEMS ,  横方向振動 ,  共振器 ,  スカンジウム ,  ドープ ,  窒化 ,  アルミニウム膜 ,  研究