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J-GLOBAL ID：201702222527431568   整理番号：17A1028809

ダウンスケーリングシリコンピエゾ抵抗センサへのモノリシックアプローチ【Powered by NICT】

A Monolithic Approach to Downscaling Silicon Piezoresistive Sensors

著者 (3件)： Nasr Esfahani Mohammad (Department of Mechanical Engineering, Koc, University, Istanbul, Turkey) ,  Leblebici Yusuf (Microelectronic Systems Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Alaca B. Erdem (Department of Mechanical Engineering, Koc, University, Istanbul, Turkey)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 26  号： 3  ページ： 624-631  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチスケール統合は,小形の圧抵抗センサの製作における主要な課題となっている,シリコンナノワイヤの作製と共にマイクロスケールシャトルは,高感度伝達を容易にする主要な構造である。この分野における努力は,半導体製造に適合するバッチ法の欠如によって損なわである。技術は,厚いシリコン-オン-絶縁体ウエハの同じ単結晶デバイス層を共有するマイクロスケール成分として圧電抵抗シリコンナノワイヤを作製することができることを紹介した。アプローチは二段階エッチングプロセスを用いた高分解能リソグラフィーの組み合わせに基づいている。実証実験は,単一ナノワイヤによる静電櫛型駆動アクチュエータとマイクロメカニカル増幅器にわたるにより行った。ゲージ率範囲135~145が得られ,ナノワイヤ歪1.26×10~ 3のほぼ20%の抵抗変化に対応した。法は同一シリコン結晶内の二桁のスケール差を発生させることを示した。もナノワイヤへの電気的アクセスの容易さを提供し,ナノワイヤは,厚いマイクロメカニカルシステム下の埋められたままになってない。高温プロセスとそのCMOS適合性の欠如により,技術は,将来の小型化ピエゾ抵抗センサの有望なイネイブラーである。[2017 0007]Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分解能 ,  櫛形 ,  *センサ ,  リソグラフィー ,  高感度 ,  アクチュエータ ,  単結晶 ,  実証実験 ,  小型化 ,  増幅器 ,  ナノワイヤ ,  バッチ処理
準シソーラス用語： マイクロスケール ,  シリコンナノワイヤ ,  *圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダウンスケーリング ,  シリコン ,  ピエゾ抵抗センサ