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J-GLOBAL ID：201702222655996574   整理番号：17A0624474

T型スタブを用いた複数高調波処理によるデュアルバンド高効率GaN HEMT電力増幅器

著者 (3件)： 高木裕貴 (電通大) ,  石川亮 (電通大) ,  本城和彦 (電通大)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM)  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2017  号： 総合大会  ページ： ROMBUNNO.C-2-10  発行年： 2017年03月07日 
JST資料番号： G0508B  ISSN： 1349-144X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *雑音除去 ,  *周波数帯 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *電力増幅器
準シソーラス用語： 高調波除去 ,  デュアルバンド ,  GaN

分類 (3件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： T型 ,  スタブ ,  高調波 ,  デュアルバンド ,  高効率 ,  GaN ,  HEMT ,  電力増幅器