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J-GLOBAL ID：201702222733470822   整理番号：17A1767437

InGaAsに基づくゲートオールアラウンド(GAA)無接合電界効果トランジスタ(JLFET)の設計最適化と解析

Design Optimization and Analysis of InGaAs-Based Gate-All-Around (GAA) Junctionless Field-Effect Transistor (JLFET)

著者 (4件)： SEO Jae Hwa (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  YOON Young Jun (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Jung-Hee (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  KANG In Man (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 11  ページ： 8350-8354  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsに基づくGAA-JLFETを三次元のTCADシミュレータを用いて設計し解析した。設計においては無接合構造を採用した。GAAナノワイヤ構造はゲート優位性を高め,バルク漏れ電流を低減し,集積度を高めてデバイス特性を向上させる。主な設計変数として,トランジスタ設計最適化プロセスにとって重要なInGaAsチャネル領域のゲート長,閾値電圧,ナノワイヤの半径,ドーピング濃度を考慮した。最適設計したGAA-JLFETのオン電流は672μA/μm,オフ電流は2.6×10^-11A/μm,サブスレッショルドスイングは61mV/dec,最大遮断周波数は23THz,最大発振周波数は75THzであった。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *最適設計 ,  CAD【計算機】 ,  電圧 ,  ドーピング ,  性能指数 ,  遮断周波数 ,  周波数
準シソーラス用語： TCAD ,  ゲートオールアラウンド構造 ,  サブスレッショルドスイング ,  最大発振周波数 ,  *無接合FET ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  ゲートオールアラウンド ,  電界効果トランジスタ ,  設計最適化 ,  解析