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J-GLOBAL ID：201702222747715014   整理番号：17A0464868

センサ用途におけるシリコン貫通電極の熱機械的信頼性リスクに関する検討

A Study on the Thermomechanical Reliability Risks of Through-Silicon-Vias in Sensor Applications

著者 (6件)： SHAO Shuai (State Univ. New York at Binghamton, NY, USA) ,  LIU Dapeng (State Univ. New York at Binghamton, NY, USA) ,  NIU Yuling (State Univ. New York at Binghamton, NY, USA) ,  O’DONNELL Kathy (Analog Devices, Inc., MA, USA) ,  SENGUPTA Dipak (Analog Devices, Inc., MA, USA) ,  PARK Seungbae (State Univ. New York at Binghamton, NY, USA)
資料名： Sensors (Web)  (Sensors (Web))
巻： 17  号： 2  ページ： WEB ONLY  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： U7015A  ISSN： 1424-8220  CODEN： SENSC9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,2種類のシリコン貫通電極(TSV)の信頼性リスクについて示した。最初は,部分的に充填した銅TSVであり,銅層が側壁および底部をカバーした。空洞の残りを満たすためにポリマを使用した。リスクサイトのストレスを検討し,FEAモデリングによってこのTSV構造についてランク付けした。TSVポリマーの材料特性(係数および熱膨張)に関するパラメータ研究を行った。2番目のタイプは,多結晶シリコン(ポリシリコン)で充填した高アスペクト比のTSVである。充填欠陥に起因するポリシリコンにおけるボイドの潜在的リスクを検討した。プリント回路基板(PCB)に組み立てたパッケージと,フレキシブル基板に組み立てたパッケージの2つの異なるアセンブリ条件のリスクを評価するために,破壊力学方法を利用した。ボード/基板/ダイの厚さとサイズとボイドの位置の影響について示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バイアホール ,  信頼性 ,  *センサ ,  *物理的性質 ,  破壊力学 ,  空洞 ,  重合体 ,  アスペクト比 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： *シリコン貫通電極 ,  ボイド【空洞】 ,  ポリマ ,  高アスペクト比 ,  多結晶シリコン ,  *熱機械的特性

分類 (3件)： 制御機器一般  (IC02010N) ,  信頼性  (KB04040H) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 用途 ,  シリコン貫通電極 ,  リスク