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J-GLOBAL ID：201702222813793055   整理番号：17A1774613

単一および多重短絡条件の平面およびトレンチSiC MOSFETの故障モード【Powered by NICT】

Failure modes of planar and trench SiC MOSFETs under single and multiple short circuits conditions

著者 (2件)： Pappis Douglas (University of Kassel, Wilhelmshoeher Alle 71, Kassel, Germany) ,  Zacharias Peter (University of Kassel, Wilhelmshoeher Alle 71, Kassel, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.11  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面およびトレンチ1200ν 40mΩSiC-MOSFETの短絡による故障モードの解析を示し,単一および複数の事象を含んでいる。短絡波形,エネルギー,電気-熱シミュレーションを示し,破壊の主な根本原因の同定を可能にした。結果が両方の技術に対してターンオフ(熱的暴走,ゲート)後の破壊に関する類似の性能を示し,それにもかかわらずSiC-MOSFETトレンチ変異体は多重故障後の優れた応答性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ターンオフ ,  *故障モード ,  *炭化ケイ素 ,  応答特性 ,  *故障 ,  *MOSFET ,  *多重化
準シソーラス用語： 根本原因 ,  熱シミュレーション ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多重 ,  短絡 ,  トレンチ ,  SiC ,  MOSFET ,  故障モード