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J-GLOBAL ID：201702222909562006   整理番号：17A0544791

剥離によって製作した多層MoS₂電界効果トランジスタにおけるホッピング伝導およびランダム電信信号

Hopping conduction and random telegraph signal in an exfoliated multilayer MoS₂ field-effect transistor

著者 (4件)： LI Lijun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Inyeal (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YOUN Doo-Hyeb (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  KIM Gil-Ho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 7  ページ： 075201,1-7  発行年： 2017年02月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲナイドの1つであるMoS₂がナノエレクトロニクス分野で注目されている。その原子レベルの薄膜は多くの可能性を期待できる電気的・光学的性質を持っている。本稿では,剥離によって製作した多層MoS₂電界効果トランジスタのキャリア輸送を調査した。その結果,界面の散乱中心がデバイスの電気的特性に大きな影響を及ぼすことを示した。低温でキャリア密度が低いときのキャリア伝導は,MoS₂層近傍の界面散乱中心が作る局所的な状態に基づくMottのvariable range hoppingを介するものである。MoS₂層から離れて疎に分布する界面電荷トラップは,MoS₂層と欠陥位置の間にキャリアトンネリングを生じさせ,ランダム電信信号発生の原因となる。欠陥がキャリアをトラップしているときと,空のときの系のエネルギー差は,キャリア密度と磁界印加によって変化する。欠陥のエネルギー構成が電子波動関数に基づいて再調整されるためである。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  ホッピング伝導 ,  1/f雑音 ,  雑音 ,  *輸送現象 ,  散乱 ,  中心
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  *電界効果トランジスタ ,  *キャリア輸送 ,  散乱中心

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 製作 ,  多層 ,  MoS2 ,  電界効果トランジスタ ,  ホッピング伝導 ,  電信