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J-GLOBAL ID:201702222994954727   整理番号:17A1459395

散乱層としてZrO_2高アスペクト比パターンを用いたGaNベース発光ダイオードの光抽出効率の増強【Powered by NICT】

Enhancement of light extraction efficiency for GaN-based light emitting diodes using ZrO2 high-aspect-ratio pattern as scattering layer
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号: S1  ページ: S609-S612  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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GaN系青色発光ダイオード(LED)の光取出し効率のZrO_2高アスペクト比(HAR)パターンの直接パターン形成プロセスを開発した。,比較的高い屈折率を持ち,散乱層として作用する,ZrO_2HARパターンはZrO_2ナノ粒子と単量体の混合物を用いた紫外ナノインプリントリソグラフィー(UV NIL)を用いたGaN系青色LED上に形成した。多重量子井戸層から発生した光子は,導波路モードを介して増加する段階的な屈折率と光路のため,より容易にITO(酸化インジウムスズ)層を逃れることができる。高パターン密度とZrO_2パターン化LEDは同じ入力電流の高輝度を示した。1μmのピッチでパターン化したLEDは,20mAの駆動電流でパターンなしのLEDよりも25.7%高い光出力パワーを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  光物性一般 

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