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J-GLOBAL ID：201702223081929615   整理番号：17A1641109

が良い1S1Rクロスバーアレイ用途のためのしきい値選択を用いた自己制限CBRAM【Powered by NICT】

Self-Limited CBRAM With Threshold Selector for 1S1R Crossbar Array Applications

著者 (5件)： Song Jeonghwan (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Woo Jiyong (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Lim Seokjae (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Chekol Solomon Amsalu (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Hwang Hyunsang (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 11  ページ： 1532-1535  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは1セレクタ-1抵抗器(が良い1S1R)アーキテクチャにおける外部電流コンプライアンスの必要性を除去する自己導電性ブリッジランダムアクセスメモリ(CBRAM)を実証した。標準Ge_2Sb_2Te_5(GST)はCBRAMスイッチング層として使用した。添加では,TeリッチGSTについても考察した。それらの性能を比較した。両試料は自己制限オン電流特性を示し,標準GSTとTeリッチGSTのオン電流は~300と 20μAであった。Teの存在下で,CuはCuフィラメントの成長を制限するより安定なCuTe相を形成する傾向があるため観察され自己制限特性は,GST層中のTeによって引き起こされる。さらに,クロスバーアレイ応用の実現可能性を確認するために,が良い1S1Rデバイスは,著者らの以前の研究で報告したAg/TiO_2~ベースしきい値選択デバイスを用いて評価した。,漏れ電流の低減,一様抵抗分布および外部電流コンプライアンスとが良い1S1R配置における安定な保持特性を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銅 ,  導電性 ,  *テルル ,  電流 ,  フィラメント ,  漏れ電流 ,  コンプライアンス ,  計算機アーキテクチャ ,  スイッチング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： クロスバー ,  アレイ ,  用途 ,  しきい値選択 ,  自己 ,  制限 ,  CBRAM