文献

J-GLOBAL ID：201702223138783754   整理番号：17A1033484

極低温でのSOI構造の変形特性【Powered by NICT】

Deformation characteristics of SOI structures at cryogenic temperatures

著者 (4件)： Druzhinin A. (Department of semiconductor electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Khoverko Yu. (Department of semiconductor electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine) ,  Kogut I. (Department of Computer Engineering and Electronics, Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine) ,  Holota V. (Department of Computer Engineering and Electronics, Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ELNANO  ページ： 92-95  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素不純物をドープした金属-誘電体転移の近傍に絶縁体上シリコン構造(SOI)における歪に誘起された効果を調べた。ホウ素濃度2.4×10~18cm~ 3から1.7×10~20cm~ 3の範囲のSOI構造中の多結晶シリコン膜のゲージ因子の研究は温度範囲4 2~100で行った。機械的センサの多結晶膜の使用,極低温で動作する可能性を論じた。SOI構造のゲージ因子は,電荷キャリアの移動度に依存することを見出した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ホウ素 ,  移動度 ,  絶縁体 ,  *極低温 ,  センサ ,  不純物 ,  ポリシリコン ,  *SOI構造 ,  多結晶 ,  ドーピング ,  ゲージ ,  誘電体
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  温度範囲 ,  *変形特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 極低温 ,  SOI構造 ,  変形特性