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J-GLOBAL ID：201702223289313708   整理番号：17A0402935

a-Si:Hのアンテナ基板距離を調節することにより制御するラジカルとイオンc-Si表面不動態化のための平面誘導結合プラズマ(ICP)を用いたH蒸着【Powered by NICT】

Radicals and ions controlling by adjusting the antenna-substrate distance in a-Si:H deposition using a planar ICP for c-Si surface passivation

著者 (8件)： Zhou H.P. (School of Energy Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, 2006 Xiyuan Ave., West High-Tech Zone, Chengdu, Sichuan, 611731, China) ,  Zhou H.P. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore) ,  Xu S. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore) ,  Xu M. (Key Laboratory of Information Materials of Sichuan Province & School of Electrical and Information Engineering, Southwest University for Nationalities, Chengdu, 610041, China) ,  Xu L.X. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore) ,  Wei D.Y. (Plasma Sources and Application Center, NIE, and Institute of Advanced Studies, Nanyang Technological University, 637616, Singapore) ,  Xiang Y. (School of Energy Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, 2006 Xiyuan Ave., West High-Tech Zone, Chengdu, Sichuan, 611731, China) ,  Xiao S.Q. (Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, 214122, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 926-932  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の研究と製造における重要な問題であるので,結晶シリコン(c Si)表面不動態化は,プラズマ特性,材料特性,およびプラズマ-材料相互作用への複雑な依存性のために,理論的および技術的に複雑である。異なるアンテナ基板距離Dの下で作動する平面誘導結合プラズマ(ICP)反応器によって成長させた非晶質シリコン(a Si:H)は低抵抗率p型c-Siの表面不動態化のために使用した。堆積したa-Si:Hの微細構造(すなわち,結晶度,Si-H結合配置など)とc-Si上の不動態化機能はdのパラメータ,膜成長に寄与するSiH_n/Hの成長前駆体とプラズマと成長表面との間の相互作用の種類を決定する主としてにより大きく影響されたことが分かった。c-Si表面不動態化はD依存性a-Si:H特性とプラズマ特性の観点から解析した。調整パラメータdにより成長表面にラジカルタイプとイオン衝撃の制御を強調した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  アモルファスシリコン ,  ヘテロ接合 ,  *ケイ素 ,  *プラズマ ,  イオン衝突 ,  電気抵抗率 ,  太陽電池 ,  *不動態化 ,  *誘導結合プラズマ ,  材料特性 ,  プラズマ特性 ,  *表面不動態化 ,  *水素化アモルファスシリコン ,  *改変
準シソーラス用語： *a-Si:H , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 不動態化 ,  イオン衝撃 ,  表面 ,  キャリア寿命 ,  ICP

分類 (4件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  アンテナ ,  調節 ,  ラジカル ,  イオン ,  表面不動態化 ,  誘導結合プラズマ ,  ICP ,  蒸着