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J-GLOBAL ID：201702223338807028   整理番号：17A0551810

プレパターン加工されたアモルファスシリコンの変換による二次元WS₂ナノリボン堆積

Two-dimensional WS₂ nanoribbon deposition by conversion of pre-patterned amorphous silicon

著者 (12件)： HEYNE Markus H (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  HEYNE Markus H (Univ. Antwerp, Antwerpen-Wilrijk, BEL) ,  HEYNE Markus H (imec, Leuven, BEL) ,  DE MARNEFFE Jean-Francois (imec, Leuven, BEL) ,  DELABIE Annelies (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  DELABIE Annelies (imec, Leuven, BEL) ,  CAYMAX Matty (imec, Leuven, BEL) ,  NEYTS Erik C (Univ. Antwerp, Antwerpen-Wilrijk, BEL) ,  RADU Iuliana (imec, Leuven, BEL) ,  HUYGHEBAERT Cedric (imec, Leuven, BEL) ,  DE GENDT Stefan (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  DE GENDT Stefan (imec, Leuven, BEL)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 4  ページ： 04LT01,1-5  発行年： 2017年01月27日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層状二次元遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は,優れた半導体特性のため,10nm以下の超短チャネルを有するトランジスタに対する有望な候補である。その一つであるWS₂について,さまざまな作製手法が提案されている。本研究において,著者らは,WS₂をプラズマベースのパターニングへさらさず,プラズマ損傷なしにWS₂形成を可能とする手法を提案する。本手法では,プレパターン加工されたa-SiナノリボンをWにより選択置換し,そして,H₂Sでその場硫化を行った。著者らは,走査型電子顕微鏡法,原子間力顕微鏡法,ラマン分光法,ラザフォード後方散乱分光法,X線光電子分光法を用いて,作製したナノ構造体の特性評価を行った。また,透過型電子顕微鏡法,すれすれ入射X線回折法も行った。著者らは,置換およびその場硫化を450°Cで行い,その結果,ストイキオメトリで無秩序に配向したWS₂を得た。さらに,不活性ガスにおける急速熱アニーリングにより,二次元構造体を得た。本手法は,WS₂直接パターニングの必要を排除し,線幅20nmに至る高結晶品質のWS₂ナノ構造体の作製を可能とした。

シソーラス用語： *タングステン化合物 ,  *硫化物 ,  *化合物半導体 ,  *パターン形成 ,  *アモルファスシリコン ,  *ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *置換 ,  *化学反応 ,  硫化水素 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  Rutherford後方散乱 ,  X線光電子分光法 ,  すれすれ入射 ,  X線回折 ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： 硫化タングステン ,  非晶質シリコン ,  ナノリボン ,  *セレン化 ,  走査型電子顕微鏡

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： アモルファスシリコン ,  ナノリボン ,  堆積