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J-GLOBAL ID：201702223485703835   整理番号：17A0375113

改良されたゾル-ゲル法で作製したふっ素ドープ酸化すず膜の性質【Powered by NICT】

Properties of fluorine-doped tin oxide films prepared by an improved sol-gel process

著者 (2件)： Shi X.H. (College of Materials Science and Engineering, Shandong University of Technology, No. 12, Zhangzhou Road, Zibo 255049, Shandong Province, PR China) ,  Xu K.J. (College of Materials Science and Engineering, Shandong University of Technology, No. 12, Zhangzhou Road, Zibo 255049, Shandong Province, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 58  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素ドープ酸化スズ(FTO)膜を改良ゾル-ゲルプロセスであり,FTO膜は蒸着法を用いてガラス基板上に堆積したにより調製した,従来のゾル-ゲル法により調製した前駆体であった。被覆および焼結プロセスは蒸発法で結合され,膜亀裂と簡単な調製過程の確率減少の利点であった。膜の特性に及ぼす膜のFドーピング含有量と構造の影響を解析した。結果は,F/Sn=14mo1%,ゾルの反応温度は50°Cであったとき,膜の性能指数(Φ_=3.535×10~ 3Ω~ 1cm)であった14.7Ωcm~ 1,平均透過率(T)74.4%の表面抵抗(R)と最大,蒸発温度をマッフル炉中で600°Cであり,膜は正方晶ルチル相を有する緻密化ピラミッド形態とSnO_2~-xF_x多結晶構造を持つことを示した。化学蒸着(CVD)法により作製した市販のFTO膜(Φ_=3.9×10~ 3Ω~ 1cm,R=27.4Ωcm~ 1T=80%)と比較して,改良されたゾル-ゲル法により調製したFTO膜のΦ_値はそれらに近く,電気特性が高く,光学的性質は低かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フッ素 ,  角錐 ,  性能指数 ,  正方晶系 ,  蒸発 ,  *ドーピング ,  透過率 ,  *ゲル ,  ルチル ,  表面抵抗 ,  *ゾル-ゲル法 ,  緻密化 ,  反応温度
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  FTO【酸化物】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ゾル-ゲル法 ,  蒸発法 ,  ふっ素ドープ酸化すず ,  光電特性 ,  Films

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル法 ,  作製 ,  ふっ素 ,  ドープ ,  酸化すず ,  性質