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J-GLOBAL ID：201702223535947834   整理番号：17A0822309

酸化物抵抗スイッチングメモリデバイスの単極性及び双極性スイッチングモード間の可逆変化に対する統一スイッチング機構

Unified switching mechanism for reversible change between unipolar and bipolar switching modes of oxide resistive switching memory devices

著者 (10件)： CHOI Sang-Jun (Vault Creation, Seoul, KOR) ,  KIM Ki-Hong (Samsung Electronics Co. Ltd., Suwon, KOR) ,  YANG Woo-Young (Samsung Electronics Co. Ltd., Suwon, KOR) ,  KIM Sohyeon (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  OH Semi (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  KIM Kyoung-Kook (Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR) ,  KIM Yunkyung (Dong-A Univ., Busan, KOR) ,  HONG Minki (Yonsei Univ., Wonju, KOR) ,  NAM Kiyoung (Yonsei Univ., Wonju, KOR) ,  CHO Soohaeng (Yonsei Univ., Wonju, KOR)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 5  ページ： 347.1-9  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt-CuO_0.8-W構造を持つ単一酸化物抵抗デバイスを製作し,その単極性スイッチング(US)及び双極性スイッチング(BS)の特性と機構を調べた。このデバイスは同一の素子で次の4種のスイッチングモードを実現することができ,印加電圧の制御によりモード選択ができる。それは,正または負SET(ターニングオン)電圧を持つUSモード,及び正または負セット電圧を持つBSモードである。この特性の解析からスイッチング機構を,以下のように電圧極性に依らずに説明できることを示した。1)US及びBSモードのRESET(ターニングオフ)過程は統一方式により説明できる。2)BSモードのセット過程は荷電空格子点を通じたイオンのドリフトによる。3)USモードのセット過程は空格子点を通じた電子トンネリングによる。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *スイッチング ,  白金 ,  酸化銅 ,  タングステン ,  電圧制御 ,  ターンオン ,  ターンオフ ,  空格子点 ,  ドリフト ,  トンネル効果 ,  *不揮発性メモリ ,  *RAM【メモリ】 ,  MSM構造
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  イオンドリフト ,  電子トンネリング ,  *メモリデバイス ,  *RRAM

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  単極性 ,  極性スイッチング ,  可逆変化 ,  スイッチング