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J-GLOBAL ID：201702223719960613   整理番号：17A1592801

大規模HVPE反応器の寄生堆積の数値シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical Simulation Study on Parasitic Deposition in Large-size HVPE Reactor

著者 (6件)： Huang Ye (江蘇大学能源与動力工程学院,鎮江,212013) ,  Zuo Ran (江蘇大学能源与動力工程学院,鎮江,212013) ,  Tang Binlong (江蘇大学能源与動力工程学院,鎮江,212013) ,  Zhang Hong (江蘇大学能源与動力工程学院,鎮江,212013) ,  Liu Peng (東莞中jia半導体科技有限公司,東莞,523500) ,  Zhang Guoyi (東莞中jia半導体科技有限公司,東莞,523500)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 46  号： 4  ページ： 662-667,674  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタキシャル(HVPE)成長GaN厚膜において、反応器の壁面には大量の寄生堆積が発生し、薄膜の成長速度と品質に深刻な影響を与える。本論文では、自作の大規模垂直式HVPE反応器に対して、数値シミュレーションと実験比較を通じて、反応器壁の堆積及びGaN成長速度の分布規律、特に寄生堆積分布とキャリアガス流量の関係を研究した。研究により;基準条件下では,壁の寄生堆積速度は中心から端部に向かって徐々に減少し,実験結果と一致した。側壁の堆積は8つの高い寄生堆積区域があり、ノズルの縁に配置されたGaCl管に対応し、堆積は主にGaClの濃度輸送に依存することを示した。シミュレーションにより得られた黒鉛表面の成長速度は実験速度より低いが、傾向は一致していることが分かった。その他の条件を維持し、NH3管のキャリアガスN2流量を増加させると、トップ壁と側壁の寄生堆積速度と分布領域が共に増大し、黒鉛表面の成長速度が減少し、均一性が向上した。GaCl管のキャリアガスのN2流量を増加させることにより、トップ壁と側壁の寄生堆積速度及び分布領域はいずれも減少し、黒鉛表面の成長速度は増大し、均一性は低下した。これらの結果は,大規模HVPE反応器によるGaN成長の最適化のための理論的基礎を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 水素化物 ,  キャリアガス ,  厚膜 ,  気相 ,  流量 ,  薄膜 ,  *反応器 ,  堆積速度 ,  エピタクシー ,  最適化 ,  成長速度 ,  グラファイト ,  窒化ガリウム ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： ガス流量 ,  *数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： HVPE reactor ,  GaN ,  parasitic deposition ,  numerical simulation

分類 (4件)： ガス化,ガス化プラント  (YE02040Q) ,  生物燃料及び廃棄物燃料  (LB02020Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  噴流  (BC02080F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大規模 ,  HVPE ,  反応器 ,  寄生 ,  堆積 ,  数値シミュレーション ,  研究