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J-GLOBAL ID：201702223825343320   整理番号：17A0550687

8mm角CVDダイヤモンド基板上にホモエピタキシャル成長した試料の電荷キャリア輸送特性

著者 (11件)： 金子純一 (北大 大学院) ,  平野慎太郎 (北大 大学院) ,  嶋岡毅紘 (北大 大学院) ,  新名宏章 (北大 大学院) ,  坪田雅功 (北大 大学院) ,  水越司 (北大 大学院) ,  山本航平 (北大 大学院) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  梅沢仁 (産業技術総合研) ,  小泉均 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-P9-60  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  エピタクシー ,  *プラズマCVD ,  膜 ,  α粒子ビーム ,  *放射線検出器 ,  効率 ,  耐放射線性 ,  環境
準シソーラス用語： *ダイヤモンド半導体 ,  エピタクシー成長 ,  自立膜 ,  α線 ,  電荷収集効率 ,  過酷環境

分類 (3件)： 放射線計測・計測器一般  (AD08010Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： CVD ,  ダイヤモンド基板 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  試料 ,  電荷キャリア ,  輸送特性