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J-GLOBAL ID：201702223845070891   整理番号：17A1555194

埋め込まれたファンアウトウエハレベルパッケージに基づく高Q値集積受動素子の作製【Powered by NICT】

Fabrication of high Q factor integrated passive devices based on embedded Fan-out wafer level package

著者 (7件)： Zhou Xiufeng (Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China) ,  Ming Xuefei (Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China) ,  Ji Yong (Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China) ,  Gao Nayan (Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China) ,  Li Yang (Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China) ,  Yao Xin (Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China) ,  Xue Kai (Department of research and design, WuXi Gmax microelectronics Company, Limited, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 601-604  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,性能向上とモジュールとデバイスの小型化の要求を満たすことを最先端技術の一つを検討した。本論文では,Q因子は60までであるガラスベースインダクタは基板としてガラスをとMOS寄生容量損失を低減するために,三次元ガラスインダクタを形成する技術を介したトラフガラスを用いて調製することができる。埋込みファンアウトウエハレベルパッケージはフィルタとしてシリコンインターポーザ上に三次元ガラスベースインダクタなどの離散受動素子を統合するのに実施,小さなパッケージサイズと高集積化と共に集積化受動デバイス高Q値を実現するための新しい解決策を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 小型化 ,  三次元 ,  フィルタ ,  *Q値 ,  ガラス
準シソーラス用語： 高集積化 ,  容量損失 ,  最先端技術 ,  *受動素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  混成集積回路  (NC03163K) ,  プリント回路  (NA05040O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Q値 ,  集積 ,  受動素子 ,  作製