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J-GLOBAL ID：201702223851689122   整理番号：17A1501773

銀援助無電解エッチング中のけい素ナノワイヤのオキシダント濃度,形態学的側面とエッチング速度の間の相関【Powered by NICT】

Correlation between oxidant concentrations, morphological aspects and etching kinetics of silicon nanowires during silver-assist electroless etching

著者 (3件)： Moumni Besma (Photovoltaic Laboratory, Research and Technology Centre of Energy (CRTEn), Borj Cedria Technopark, PB 95 Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  Jaballah Abdelkader Ben (Photovoltaic Laboratory, Research and Technology Centre of Energy (CRTEn), Borj Cedria Technopark, PB 95 Hammam Lif 2050, Tunisia) ,  Jaballah Abdelkader Ben (Department of Physics, Faculty of Science and Arts in Samtha, Jazan University, Jazan, Saudi Arabia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 425  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短距離H_2O_2濃度の銀支援化学エッチング(Ag ACE)によるシリコン多孔質化を報告した。多孔質シリコン(PSi)は1%H_2O_2で得られることを実験的に示し,シリコンナノワイヤ(SiNW)を,8%までの比較的高い濃度にH_2O_2の濃度を簡単に調整することによって出現した。モルホロジーの特徴を,走査型電子顕微鏡SiNW形成の動力学は非線形関係対H_2O_2濃度とエッチング時間を示すことを証明することにより主張されている。局所陽極,Ic,およびカソード,Ia,電流に基づく半定量電気化学的エッチングモデルは,異なる形態学的変化を説明するために,PSとSiNWの両方の生成経路を明らかにするために提案した。より重要なことは,シリコン太陽電池(反射率2%に近い)のための効率的な反射防止特性は8%H_2O_2で実現した。さらに,調製されたSi ナノ構造のルミネセンス強度の大きな増強と狭くて深いSiNWの青方偏移を示す光ルミネセンスにより主張されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多孔性 ,  青方偏移 ,  *モルフォロジー ,  ケイ素 ,  走査電子顕微鏡 ,  *銀 ,  光ルミネセンス ,  反射率 ,  ナノ構造 ,  *エッチング ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  *エッチング速度 ,  *シリコンナノワイヤ ,  *無電解エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Ag支援無電解エッチング ,  H_2O_2濃度 ,  シリコンナノワイヤ ,  多孔質シリコン ,  電荷輸送 ,  Reflectivity ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 銀 ,  援助 ,  無電解エッチング ,  けい素ナノワイヤ ,  オキシダント ,  形態学 ,  エッチング速度 ,  相関