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J-GLOBAL ID：201702223897171587   整理番号：17A0471306

五酸化タンタルの単原子とクラスタのアルゴンイオンスパッタリングのXPSによる研究【Powered by NICT】

XPS investigation of monatomic and cluster argon ion sputtering of tantalum pentoxide

著者 (5件)： Simpson Robin (The Surface Analysis Laboratory, Department of Mechanical Engineering Sciences, University of Surrey, United Kingdom) ,  Simpson Robin (Thermo Scientific, East Grinstead, United Kingdom) ,  White Richard G. (Thermo Scientific, East Grinstead, United Kingdom) ,  Watts John F. (The Surface Analysis Laboratory, Department of Mechanical Engineering Sciences, University of Surrey, United Kingdom) ,  Baker Mark A. (The Surface Analysis Laboratory, Department of Mechanical Engineering Sciences, University of Surrey, United Kingdom)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 405  ページ： 79-87  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,ガスクラスタイオンビーム(GCIB)は表面分析におけるスパッタエッチ有機材料へのイオンビーム技術の切れ刃となっている。しかし,現在アルゴンクラスタイオン(Ar_n~+)の能力エッチ金属酸化物にはほとんど知られていないと他の技術的に重要な無機化合物と深さプロファイルは,以前に報告されていない。本研究では,単原子Ar~+とAr_1000~+クラスタイオンを用いたTa箔上に成長させた認証(ヨーロッパ標準B CR261T)30nm厚Ta_2O_5層を通るXPS深さプロフィルを種々の入射エネルギーで行った。6keV Ar_1000~+イオンを用いて誘起された酸素の選択的スパッタリングは3keVと500eV Ar~+イオンに比べて低かった。Ar~+イオンはバルク酸化物を通る定常状態O/Ta比を示すが,Ar_1000~+イオンを深さの関数としてO/Ta比の緩やかな減少を示した。深さ分解能とエッチ速度はクラスタビームと比較して単原子ビームのための実質的に優れていた。下層Taバルク金属はAr~+プロファイルと比較Ar_1000~+プロファイルのためのスパッタされたとき,高いO濃度が観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオンビーム ,  *スパッタリング ,  無機化合物 ,  *クラスタ ,  *タンタル ,  深さプロフィル ,  表面分析 ,  クラスタビーム ,  エッチング ,  *酸化タンタル ,  クラスタイオン ,  有機材料 ,  原子ビーム ,  酸素
準シソーラス用語： *単一原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： XPS ,  クラスタ ,  イオンビーム ,  スパッタリング ,  酸化物 ,  Ta_2O_5

分類 (2件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 五酸化タンタル ,  単原子 ,  クラスタ ,  アルゴン ,  イオンスパッタリング ,  XPS ,  研究