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J-GLOBAL ID：201702223912375603   整理番号：17A0883496

強磁性特性を有するC_3N2D結晶性ホールフリー,調整可能な狭いバンドギャップ半導体【Powered by NICT】

C₃N-A 2D Crystalline, Hole-Free, Tunable-Narrow-Bandgap Semiconductor with Ferromagnetic Properties

著者 (18件)： Yang Siwei (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Li Wei (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Li Wei (Department of Physics and State Key Laboratory of Surface Physics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Ye Caichao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Wang Gang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Tian He (Center of Electron Microscopy and State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Zhu Chong (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  He Peng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Ding Guqiao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Xie Xiaoming (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Xie Xiaoming (School of Physical Science and Technology, Shanghai Tech University, Shanghai, 200031, P. R. China) ,  Liu Yang (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, 215123, P. R. China) ,  Lifshitz Yeshayahu (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, 215123, P. R. China) ,  Lifshitz Yeshayahu (Department of Materials Science and Engineering, Technion, Israel Institute of Technology, Haifa, 3200003, Israel) ,  Lee Shuit-Tong (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, 215123, P. R. China) ,  Kang Zhenhui (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, 215123, P. R. China) ,  Jiang Mianheng (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, P. R. China) ,  Jiang Mianheng (School of Physical Science and Technology, Shanghai Tech University, Shanghai, 200031, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 16  ページ： ROMBUNNO.201605625  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは特性のその異常なセットと可能な応用のホストによる2次元結晶材料に及ぼす集中的な研究努力を開始した。C_3Nの制御可能な大規模合成,グラフェンの2D結晶,ホールフリー拡張,その構造的特性化,およびその独特な性質について報告した。C_3Nは2,3 ジアミノフェナジンの重合により作製した。窒素原子の均一な分布を持つ2次元ハニカム格子から構成され,両NおよびC原子はD_6h対称性を示した。C_3Nは種々の直径を持つ量子ドットの作製による全可視範囲をカバーするために調整できることを間接バンドギャップ0.39eVの半導体である。単層C_3Nで作られたバックゲート電界効果トランジスタは5.5×10~10に達するオン/オフ電流比を示した。驚いたことに,水素をドープするとC_3Nは低温(<96 K)で強磁性秩序を示した。グラフェンファミリーの新しいメンバーは基本的な基礎研究と可能性のある将来の応用の両方のための道を開くものである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *半導体 ,  *結晶 ,  *強磁性 ,  グラフェン ,  構造特性 ,  FET【トランジスタ】 ,  *バンドギャップ ,  ドーピング ,  量子ドット
準シソーラス用語： 強磁性秩序 ,  バックゲート ,  間接バンドギャップ ,  ハニカム格子 ,  二次元結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2D材料 ,  炭素 ,  強磁性特性 ,  semiconductors

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性 ,  結晶性 ,  ホール ,  バンドギャップ