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J-GLOBAL ID：201702223983708156   整理番号：17A1181757

Si基板上のイオン注入分離したAlGaN/GaN MIS高電子移動度トランジスタの漏れの機構【Powered by NICT】

Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate

著者 (23件)： Zhang Zhili (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Zhang Zhili (University of Chinese Academy of Sciences, 19A Yuquanlu, 100049 Beijing, China) ,  Song Liang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Song Liang (University of Chinese Academy of Sciences, 19A Yuquanlu, 100049 Beijing, China) ,  Li Weiyi (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Li Weiyi (University of Chinese Academy of Sciences, 19A Yuquanlu, 100049 Beijing, China) ,  Fu Kai (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Yu Guohao (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Zhang Xiaodong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Fan Yaming (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Deng Xuguang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Li Shuiming (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Sun Shichuang (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Sun Shichuang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Li Xiajun (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Li Xiajun (University of Chinese Academy of Sciences, 19A Yuquanlu, 100049 Beijing, China) ,  Yuan Jie (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Yuan Jie (Nanjing University of Science and Technology, School of Materials Science and Engineering, Nanjing 210094, Jiangsu, China) ,  Sun Qian (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Dong Zhihua (School of Electronics & Information, Hangzhou Dianzi University, 310018, China) ,  Cai Yong (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Zhang Baoshun (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou 215123, China) ,  Zhang Baoshun (Suzhou Powerhouse Electronics Co., Ltd, Suzhou 215123, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 134  ページ： 39-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,筆者らはSi基板のイオン注入分離したAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MIS HEMTs)の漏れ機構を系統的に調べた。種々の温度及び電場依存性での複合DC試験を用いて,著者らは,オリジナルな結果を示した:(1)は,ゲート漏れ電流はイオン注入分離したAlGaN/GaN MIS-HEMTのオフ状態漏洩電流への主な寄与であることを証明し,ゲート漏れ経路はゲート誘電体Si_3N_4とSi_3N_4GaN界面の直列接続である。(2)LPCVD Si_3N_4ゲート誘電体とSi_3N_4GaN界面を通る漏れ電流の支配的な機構はFrenkel-Poole放出と二次元可変領域ホッピング(2D VRH)であることを確認した。(3)ある温度アニーリングはイオン注入により作製した界面状態密度を減少させ,その結果界面漏れ輸送,オフ状態漏れ電流イオン注入分離したAlGaN/GaN MIS-HEMTの低下の結果となるを抑制できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲート絶縁膜 ,  界面 ,  絶縁体 ,  焼なまし ,  漏れ電流 ,  *イオン注入 ,  半導体 ,  *HEMT ,  二次元
準シソーラス用語： 界面状態密度 ,  可変領域ホッピング ,  オフ状態 ,  ゲート漏れ電流 ,  *AlGaN/GaN ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) ,  分離したイオン注入 ,  漏れ機構 ,  界面漏れ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  イオン注入 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  高電子移動度トランジスタ ,  漏れ