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J-GLOBAL ID：201702224200684492   整理番号：17A1273964

最適化に基づく逆有限要素解析を用いたILD積層における金属薄膜の降伏強さの推定【Powered by NICT】

Estimating the yield strength of metal films in ILD stacks using optimization-based inverse finite element analysis

著者 (4件)： Chen Chun-Pei (School of Mechanical Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Subbarayan Ganesh (School of Mechanical Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Lin Hung-Yun (Texas Instruments Inc., Dallas, TX 75243, USA) ,  Gurrum Siva (Texas Instruments Inc., Dallas, TX 75243, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ITherm  ページ： 1409-1415  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクス素子における金属膜の降伏強さの作製プロセス誘起変動は層間誘電体(ILD)スタックの信頼性に決定的に影響を与える。しかし,多層スタック中に埋込んだ膜の降伏強さの推定は重要な課題である。,自立膜を必要としないことであるその利点,押込み技術は薄膜を特性化するために広く使用されているが,従来の分析はスタックの最上層を特性化することに焦点を当てた。本論文では,ILDスタックにおける埋込金属膜の降伏強さを推定するための最適化ベースの逆有限要素解析(IFEA)法を提案した。技術はTEOS Al Si_3N_4Siスタック中に埋め込まれたアルミニウム膜の降伏強さを推定することにより実証した。推定降伏強さの一意性を保証するためにパラメータ空間における多重初期点からの最適化を行う。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *降伏強さ ,  多層 ,  *最適化 ,  上層 ,  マイクロエレクトロニクス ,  多重化 ,  アルミニウム ,  誘電体 ,  *金属薄膜 ,  一意性 ,  信頼性
準シソーラス用語： パラメータ空間 ,  自立膜 ,  *有限要素解析 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 最適化 ,  有限要素解析 ,  金属薄膜 ,  降伏強さ ,  推定