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J-GLOBAL ID：201702224439216760   整理番号：17A1567883

CMOS互換PMIC用EモードpチャネルGaN MOSHFET【Powered by NICT】

An E-Mode p-Channel GaN MOSHFET for a CMOS Compatible PMIC

著者 (2件)： Kumar Ashwani (Department of Electronic and Electrical Engineering, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  De Souza Maria Merlyne (Department of Electronic and Electrical Engineering, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 10  ページ： 1449-1452  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力EモードpチャネルGaN MOSHFETの動作原理は,TCADシミュレーションにより説明した。ゲート長のスケーリングと負のしきい値電圧を達成するための課題は,ゲート下のAlGaNキャップ層のモル分率を調整することにより検討した。ゲート長0.25μmの提案したpチャネルGaN MOSHFETのインバータから成るメガヘルツ領域におけるCMOS互換電力管理ICの有望性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  電力管理 ,  シミュレーション ,  *CMOS ,  *チャネル ,  モル分率
準シソーラス用語： キャップ層 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  閾値電圧 ,  ゲート長 ,  TCAD ,  動作原理 ,  低電力化 ,  *MOSHFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  チャネル ,  GaN ,  MOSHFET