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J-GLOBAL ID：201702224623148995   整理番号：17A1640765

逆バイアス過渡現象によるシリコン二重ヘテロ接合太陽電池における前面と背面界面再結合の抽出【Powered by NICT】

Extraction of Front- and Rear-Interface Recombination in Silicon Double-Heterojunction Solar Cells by Reverse Bias Transients

著者 (3件)： Berg Alexander H. (Department of Electrical Engineering, Princeton Institute for the Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton, NJ, USA) ,  Nagamatsu Ken A. (Process Integration Group, Advanced Technology Laboratory of Northrop Grumman Corporation, Linthicum, MD, USA) ,  Sturm James C. (Department of Electrical Engineering, Princeton Institute for the Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton, NJ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 11  ページ： 4518-4525  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 両面ヘテロ接合太陽電池の界面再結合パラメータを決定するための,逆回復(RR)過渡測定に基づく方法を示した。物理ベースモデルを開発し,正規化パラメータを用いて,任意のウエハ厚さと少数キャリア拡散係数にスケールできる結果を提供することである。,たった一つの界面で支配的な再結合の場合には,界面再結合速度はRR時間から直接抽出することができた。両界面での大きな再結合をもつデバイスでは,数値モデル化を用いる必要がある。小型デバイスにおける少数キャリア電流広がりの影響を解析的に補正することができる。結果をPEDOT/n SiとPEDOT/n Si/TiO_2ヘテロ接合細胞の両方に適用した。,良好なバンドオフセットと有意なビルトイン電圧にもかかわらず,PEDOT/n Si界面はPEDOT/n Si界面での再結合のために理想的な穴インジェクタではないことを見出した。も金属デバイスにおけるSi TiO_2界面での実効表面再結合速度は330cm/sであり,界面は低欠陥密度を持つことを確認したことを見出した。最後に,けい素ヘテロ接合太陽電池のさらなる開発のためのこれらの結果の重要性に反映している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 少数キャリア ,  *ケイ素 ,  バンドオフセット ,  *界面 ,  *再結合 ,  電圧 ,  拡散係数 ,  *過渡現象 ,  電流 ,  欠陥密度 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： 表面再結合速度 ,  数値モデル ,  再結合速度 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス ,  過渡現象 ,  シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  前面 ,  背面 ,  界面 ,  再結合