文献

J-GLOBAL ID：201702224969857468   整理番号：17A0795991

グラフェンベースMEMS ICPピエゾ抵抗圧力センサの残留応力【Powered by NICT】

Residual stress of graphene-based MEMS ICP piezoresistive pressure sensors

著者 (3件)： Abd Rahman Siti Hajar (Faculty of Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Soin Norhayati (Faculty of Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Ibrahim Fatimah (Faculty of Engineering, University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： BioSMART  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いダイヤフラムは頭蓋内圧測定のための高感度MEMS圧抵抗圧力センサにおいて重要な役割を果たす。グラフェンの薄さはICP圧力センサの感度を最大にするためにこの圧力センサに利用した。しかし非常に薄いダイヤフラムは残留応力に起因する圧力非線形性性能問題を引き起こす可能性がある。本論文では,MEMS頭蓋内(ICP)ピエゾ抵抗圧力センサの異なる数グラフェン層のために残留応力の影響を研究した。COMSOLシミュレーションはプレストレスト変形正方形ダイヤフラムを決定するために,単層および多層グラフェンの残留応力の値を計算することができる使用した。は多層グラフェンの適用は,グラフェンベースMEMS ICP圧抵抗圧力センサに及ぼす残留応力の影響を低減できることが分かった。1.94×10~7MPaの残留応力は20層のグラフェンを利用して9.72×10~3MPaに減少した。本研究は複雑な単層応用法の代わりに多層グラフェンダイアフラムを用いた減圧非線形性問題を持つ高感度圧力センサを製造する簡単な方法を示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *残留応力 ,  減圧 ,  *グラフェン ,  *MEMS ,  ダイヤフラム ,  非線形性 ,  *圧力センサ ,  単一層 ,  頭蓋内圧 ,  高感度
準シソーラス用語： 多層グラフェン ,  COMSOL ,  頭蓋 ,  *圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  MEMS ,  ICP ,  ピエゾ抵抗 ,  圧力センサ ,  残留応力