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J-GLOBAL ID：201702225024738794   整理番号：17A1391437

DCおよび低周波雑音測定による金属ベース垂直有機トランジスタにおける伝導機構に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on the Conduction Mechanisms in Metal-Base Vertical Organic Transistors by DC and LF-Noise Measurements

著者 (7件)： Giusi G. (Department of Engineering, University of Messina, Messina, Italy) ,  Sarnelli E. (CNR SPIN, Pozzuoli, Italy) ,  Barra M. (CNR SPIN, Pozzuoli, Italy) ,  Cassinese A. (CNR SPIN, Pozzuoli, Italy) ,  Scandurra G. (Department of Engineering, University of Messina, Messina, Italy) ,  Nakayama K. (Department of Material and Life Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Ciofi C. (Department of Engineering, University of Messina, Messina, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4260-4265  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直有機トランジスタは,従来の水平有機電界効果素子のスケーリング限界を克服するための有望な候補である。本論文では,直流(dc)と低周波雑音(LFN)測定の結果に基づいて,ベースを横切る透過は金属ベースホットキャリア(HC)と高伝導性経路(細孔)の両方の結合された作用による金属ベース有機トランジスタにおけるキャリア輸送の描像を提案した。電極を注入として調べたデバイスはエミッタとコレクタ領域の活性層,およびAu/MoO_3からなる二層膜としてペンタセンと銅フタロシアニンを採用した。直流分析は,研究したデバイスにおける電荷輸送は最高被占分子軌道(HOMO)バンドにおけるエミッタ注入キャリアのドリフト拡散に起因することを明らかにし,HC噴射により支配され,細孔による伝導が増加し,高いベース エミッタ場では無視できるようになるなかった。LFN解析は二つの主要なおよび非相関1/f電流雑音源の存在下,ベースとエミッタ間に位置する一つのものはなく,透過HC電流のゆらぎが原因となった,とコレクタ・エミッタ間に位置する第二の源を明らかにし,透過HC電流のゆらぎおよび/または金属ベースの細孔を通る電流のゆらぎに起因した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性層 ,  *低周波雑音 ,  ゆらぎ ,  直流 ,  電流 ,  HOMO ,  細孔 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： ドリフト拡散 ,  電荷輸送 ,  二重層 ,  キャリア輸送 ,  *伝導機構 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 銅フタロシアニン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： DC ,  低周波雑音 ,  垂直 ,  有機トランジスタ ,  伝導 ,  研究