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J-GLOBAL ID：201702225112727512   整理番号：17A1548190

p-GaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いた無接合電界効果トランジスタの性能改善【Powered by NICT】

Performance improvement of junctionless field effect transistors using p-GaAs/AlGaAs heterostructure

著者 (4件)： Bajelan F. (Department of Electrical Engineering, Sciences and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, 1477893855, Iran) ,  Goharrizi A. Yazdanpanah (Department of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, Iran) ,  Faez R. (Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Iran) ,  Darvish G. (Department of Electrical Engineering, Sciences and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, 1477893855, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 110  ページ： 305-312  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (GAA)無接合(JL)ゲートオールアラウンドの性能解析金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を,非平衡Green関数(NEGF)形式を用いて調べた。JLトランジスタの主な問題は,オフ状態電流であることが分かった。本研究では,このような素子のオフ状態電流は大きなバンドギャップと重い有効質量を持つチャネル材料を選択することにより減少した。筆者らのシミュレーション結果は,p型GaAsとJLトランジスタのオフ状態電流はn型GaAsのそれよりも小さいことを示した。Plus,ホモ構造(HOS)と比較して,ヘテロ構造(HES)チャンネルは,JL FETのデバイス特性を改善するための本研究で提案した。,p型GaAsおよびGaAs/AlGaAsはHOSとH ESデバイスのためのチャネル材料としてそれぞれ用いた。シミュレーションはナノワイヤのための固定した直径5nmのGaAsとAlGaAsの異なる厚さに対して行った。GaAsとAlGaAs層の厚さは0.5nmと4nmになるように選択されているとき,それぞれHES素子の最適電子特性が達成されることを示した。 330mVの5.32×10~ 16Aのオフ状態電流(I_OFF),6.44×10~ 6Aのオン状態電流(I_ON),1.21×10~10のオン/オフ電流比(I_ON/I_OFF),60.8mV/decのサブ閾値傾斜(SS),4.6mV/Vのドレイン誘起障壁低下(DIBL),閾値電圧(V_TH)を提案HES JL GAA FETで得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  MOSFET ,  シミュレーション ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  バンドギャップ ,  酸化物 ,  *ヒ化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  有効質量 ,  半導体 ,  電流
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  オフ状態 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非平衡Green関数(NEGF) ,  ゲート全周辺(GAA) ,  ヘテロ構造(HES) ,  ホモ構造(HOS) ,  無接合電界効果トランジスタ(JL FETs)

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  AlGaAs ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  性能改善