文献

J-GLOBAL ID：201702225160209643   整理番号：17A0685840

最適化MOVPEにより成長させた平坦界面を持つN極性GaN MIS-HEMT

N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE

著者 (6件)： PRASERTSUK Kiattiwut (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIMURA Takeshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBOYA Shigeyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Tetsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 58(ED2017 15-26)  ページ： 59-64  発行年： 2017年05月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *HEMT ,  *MIS構造 ,  MOCVD
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  MOVPE

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• T. Kachi, J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• S. Rajan, A. Chini, M. H. Wong, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 102, 044501 (2007).
• M. H. Wong, Y. Pei, T. Palacios, L. Shen, A. Chakraborty, L. S. Mc Carthy, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 91, 232103 (2007).
• S. Keller, C. S. Suh, Z. Chen, R. Chu, S. Rajan, N. A. Fichtenbaum, M. Furukawa, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 103, 033708 (2008).
• M. H. Wong, S. Keller, N. S. Dasgupta, D. J. Denninghoff, S. Kolluri, D. F. Brown, J. Lu, N. A. Fichtenbaum, E. Ahmadi, U. Singisetti, A.Chini, S. Rajan, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Semicond. Sci. Technol. J. 28, 074009 (2013).

タイトルに関連する用語 (9件)： 最適化 ,  MOVPE ,  成長 ,  平坦 ,  界面 ,  極性 ,  GaN ,  MIS ,  HEMT