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J-GLOBAL ID:201702225173478141   整理番号:17A0449587

セレン化/硫化処理に続く単一四元Cu_2ZnSnS_4ターゲットを用いたスパッタリング蒸着により作製したCu_2ZnSn(S_xSe_1-)-4薄膜太陽電池の特性【Powered by NICT】

Characteristics of Cu2ZnSn(SxSe1- )4 thin-film solar cells prepared by sputtering deposition using single quaternary Cu2ZnSnS4 target followed by selenization/sulfurization treatment
著者 (4件):
資料名:
巻: 162  ページ: 55-61  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,単相Cu_2ZnSnS_4(CZTS)ターゲット1時間,570°Cでセレン化/硫化処理を用いたスパッタリング蒸着によりCu_2ZnSn(S Se_1-)4(CZTSSe)薄膜の作製を実証した。その後,Mo/CZTSSe/CdS/i-ZnO/IZO/アール構造を持つCZTSSe薄膜太陽電池試料を調製し,それらの性能を評価した。熱処理のSeとS粉末の比を変えることにより,0.21 1の範囲でS/(S+Se)比を持つCu poor/Zn豊富なCZTSSe層が達成され,CZTSSe層はX線回折により明らかにしたケステライトCZTSとCZTSe相の混合物で,Raman分光法は,解析した。UV-NIR分光法は,S/(S+Se)比が0.21から1に変化するとき,CZTSSe試料のバンドギャップは1.06 1 0.45eVの範囲であった示した。Hall測定は,S/(S+Se)比が0.46のp型キャリア濃度2.17×10~15cm~ 3とCZTSSe層における8.9cm~2V~ 1秒~ 1の移動度を持つ最良の輸送特性を観察した。AM1.5照射条件下で,S/(S+Se)比0.46を持つCZTSSe薄膜太陽電池試料は開回路電圧0.506V,短絡電流密度27.41mA~2の曲線因子50%,変換効率6.9%の最良の性能を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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