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J-GLOBAL ID：201702225321342612   整理番号：17A1611030

高電力SHFトランジスタのためのAlGaAs/InGaAs/AlGaAsヘテロ構造の特性への付加的p⁺ドープ層の影響

Influence of the additional p⁺ doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors

著者 (11件)： GULYAEV D V (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS) ,  ZHURAVLEV K S (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS) ,  ZHURAVLEV K S (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  BAKAROV A K (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS) ,  BAKAROV A K (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  TOROPOV A I (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS) ,  PROTASOV D Yu (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS) ,  PROTASOV D Yu (Novosibirsk State Technical Univ., Novosibirsk, RUS) ,  GUTAKOVSKII A K (Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS) ,  BER B Ya (Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., Saint Petersburg, RUS) ,  KAZANTSEV D Yu (Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., Saint Petersburg, RUS)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 49  号： 9  ページ： 095108,1-9  発行年： 2016年03月09日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力SHF仮像高電子移動度トランジスタ(pHEMT)の創造に使う,新型の仮像AlGaAs/InGaAs/AlGaAsヘテロ構造の特有性を調べた。AlGaAsバリアの中のドープしたアクセプタ不純物の,輸送特性への影響を調べた。付加的p⁺ドープバリア層の利用は,InGaAs量子井戸の中の二次元電子ガス濃度の,二重マルチプレックス増加の達成を可能にすることを示した。AlGaAsバリアからInGaAs量子井戸の中に浸透する,ドープしたドナーとアクセプタの濃度の評価を行った。InGaAsチャネルの中の電子移動度を計算し,その低減がイオン化したSiドナーによる散乱に起因することを示した。

シソーラス用語： *HEMT ,  仮像 ,  パワーエレクトロニクス ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ドーピング ,  SHF【周波数】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電力 ,  SHF ,  トランジスタ ,  AlGaAs ,  InGaAs ,  ヘテロ構造 ,  ドープ