GULYAEV D V について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
ZHURAVLEV K S について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
ZHURAVLEV K S について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
BAKAROV A K について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
BAKAROV A K について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
TOROPOV A I について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
PROTASOV D Yu について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
PROTASOV D Yu について
Novosibirsk State Technical Univ., Novosibirsk, RUS について
GUTAKOVSKII A K について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
BER B Ya について
Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., Saint Petersburg, RUS について
KAZANTSEV D Yu について
Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., Saint Petersburg, RUS について
Journal of Physics. D. Applied Physics について
HEMT について
仮像 について
パワーエレクトロニクス について
素子構造 について
ヘテロ接合 について
ヒ化ガリウムアルミニウム について
ヒ化ガリウムインジウム について
ドーピング について
SHF【周波数】 について
トランジスタ について
高電力 について
SHF について
トランジスタ について
AlGaAs について
InGaAs について
ヘテロ構造 について
ドープ について